眾所周知，晶閘管的應(yīng)用和優(yōu)點(diǎn)使其在電力工業(yè)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。設(shè)備的壽命是有限的。因此，為了延長(zhǎng)晶閘管的使用壽命，必須注意正確的使用標(biāo)準(zhǔn)，以下是晶閘管使用的10大原則。

       準(zhǔn)則1

為了打開(kāi)晶閘管(或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān))，必須有一個(gè)柵極電流≧IGT，直到負(fù)載電流達(dá)到≧IL。必須滿(mǎn)足這一條件，并根據(jù)可能遇到的較低溫度進(jìn)行考慮。

　　準(zhǔn)則2

　　要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載工作電流我們必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的運(yùn)行環(huán)境溫度下必須能夠滿(mǎn)足企業(yè)上述研究條件。

　　準(zhǔn)則3

在設(shè)計(jì)雙向硅膠觸發(fā)電路時(shí)，應(yīng)盡可能避免使用3+象限（WT2-，+）。

       準(zhǔn)則4

為了減少雜波吸收，柵極線長(zhǎng)度減小到較低。 返回線直接連接到MT1(或陰極)。 如果使用硬線，則使用螺旋雙線或屏蔽線。 柵極與MT1之間的電阻1k Ω 或更小。 高頻旁路電容器及柵極間串聯(lián)電阻。 另一個(gè)解決方案是使用H系列低靈敏度triac。

　　規(guī)則5

如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導(dǎo)致問(wèn)題，則在 mt1和 mt2之間添加 rc 緩沖區(qū)。如果高的 dicom/dt 可能會(huì)引起問(wèn)題，增加幾米電感和負(fù)載串聯(lián)。另一個(gè)解決方案，使用高通雙向可控硅。

　　準(zhǔn)則6

如果三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的VDRM在嚴(yán)重和異常的電源瞬變過(guò)程中可能被超過(guò)，應(yīng)采取以下措施之一:在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)電感為幾μH的不飽和電感以限制它 u002FDT用MOV跨接電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

　　準(zhǔn)則7

　　選用好的門(mén)極觸發(fā)控制電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度從而提高學(xué)生雙向可控硅的dIT/dt承受工作能力。

　　準(zhǔn)則8

如果可能超過(guò)雙向CR的dIT/dt，負(fù)載連接幾個(gè)H無(wú)芯電感或負(fù)溫度系數(shù)。另一種解決方案是在電阻性負(fù)載上使用零電壓傳導(dǎo)。

　　準(zhǔn)則9

當(dāng)設(shè)備固定到散熱器時(shí)，避免對(duì)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)施加應(yīng)力。 固定導(dǎo)線，然后焊接。 不要將鉚釘心軸放置在設(shè)備接口件的側(cè)面。

　　準(zhǔn)則10

為了長(zhǎng)期可靠的運(yùn)行，rthj-a 應(yīng)該保持足夠的低，以維持 tj 不高于 tjmax，相應(yīng)的可能的環(huán)境溫度。

這些是可控硅的使用指南。正確使用不僅可以延長(zhǎng)可控硅的使用壽命，還可以保證可控硅的穩(wěn)定運(yùn)行。