在電路設(shè)計(jì)中，有兩種常用的功率器件，DC和LDO。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。

LDO電路設(shè)計(jì)中功率芯片選擇

Ldo 是一種低壓差線性穩(wěn)壓器，或低壓差器件，它通常用于需要降低電壓的場(chǎng)合，具有成本低、噪聲低、靜態(tài)電流小的優(yōu)點(diǎn)。它還需要很少的外部元件，通常只有一個(gè)或兩個(gè)旁路電容器。

LDO線性穩(wěn)壓器的性能研究之所以我們能夠可以達(dá)到社會(huì)這個(gè)發(fā)展水平，主要問題原因就是在于通過其中的調(diào)整管是用P溝道MOSFET。P溝道MOSFET是電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，不需要工作電流，所以企業(yè)大大降低了器件技術(shù)本身需要消耗的電流。另外，P溝道MOSFET上的電壓降大致等于一個(gè)輸出控制電流與導(dǎo)通電阻的乘積。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很小，因而它上面的電壓降非常低。

DC/DC是指直流變壓器（至）直流（不同直流功率值的轉(zhuǎn)換），只要此定義可以稱為DC/DC轉(zhuǎn)換器，包括LDO。但一般的說法是，直流變壓器（到）直流通過開關(guān)模式的設(shè)備被稱為直流/直流。

DC/DC包括升壓、降壓、升壓/降壓和反均衡電路。 DC/DC變換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小的優(yōu)點(diǎn)。 隨著集成度的提高，許多新型DC/DC轉(zhuǎn)換器只需要少量的外部電感器和濾波電容器。 然而，這種電源控制器的輸出脈動(dòng)和開關(guān)噪聲較大，并且成本相對(duì)較高。

如何選型

如果輸入電壓和輸出電壓非常接近，很好的選擇 ldo 穩(wěn)壓器，可以達(dá)到很高的效率，這對(duì)低成本很重要。行業(yè)中一些最好的人總結(jié)了 ldo 可以應(yīng)用的情況:

例如，對(duì)電源噪聲抑制和紋波抑制要求高的產(chǎn)品，

比如PCB板面積小，如手機(jī)等手持中國電子技術(shù)產(chǎn)品，

例如，電路電源不允許電感器，如移動(dòng)電話，

例如，電源需要具有瞬時(shí)校準(zhǔn)和輸出狀態(tài)自檢功能，

例如，要求調(diào)壓器電壓降低和本身耗電量低的產(chǎn)品,

比如要求線路成本低，方案簡單的產(chǎn)品。

如果我們輸入工作電壓和輸出一個(gè)電壓相差較大，或者壓降較大，就要進(jìn)行考慮用開關(guān)型的DC/DC了，因?yàn)長DO的輸入信號(hào)電流基本上是等于輸出控制電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量沒有太大，效率要求不高，所以DC/DC很合適。DC/DC雖然具有效率高，可以通過輸出大電流，但同時(shí)作為輸出信息干擾影響較大，體積也相對(duì)存在較大，成本稍高。

綜上所述，增壓需要選擇DC/DC，為了降低壓力，需要選擇DC/DC或LDO，在成本、效率、噪聲和性能分析方面進(jìn)行比較。