晶閘管在我國(guó)曾被稱為晶閘管，是硅整流器的重要器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。 參數(shù)的合理與否直接影響設(shè)備的性能。 合理選擇晶閘管可以提高設(shè)備的可靠性和使用壽命，保證生產(chǎn)，降低設(shè)備的維護(hù)成本。

可控硅重要的兩個(gè)參數(shù)是額定電流(A)和額定電壓(V)，使用部門提出的器件參數(shù)要求僅為這兩項(xiàng)，而變頻裝置上的快速或中頻可控硅又有一個(gè)關(guān)機(jī)時(shí)間(TG)參數(shù)，一般情況下也可以。但從提高設(shè)備運(yùn)行性能和使用壽命的角度出發(fā)，也可以根據(jù)設(shè)備的特點(diǎn)選擇一些可控硅參數(shù)。

晶閘管在變流器(如電力機(jī)車)中工作時(shí)，必須能在工頻下反復(fù)承受一定的過(guò)電壓而不影響其工作，因此正反向峰值電壓參數(shù)Vdrm和VRRM應(yīng)保證是正常使用電壓峰值的兩倍以上?？紤]到一些可能的浪涌電壓因素，在選擇備選參數(shù)時(shí)，只能選擇一個(gè)較高的檔位參數(shù)。

可控硅的額定電壓電流是在一定經(jīng)濟(jì)條件下的最大導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行平均通過(guò)電流，即：當(dāng)在40℃的環(huán)境不同溫度和特定的冷卻技術(shù)條件下，在單相負(fù)載輸出功率半正弦波的電阻可以負(fù)載和傳導(dǎo)角不小于L70℃的電路中，當(dāng)器件發(fā)展處于社會(huì)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)，允許最大通態(tài)平均一個(gè)電流。當(dāng)變換器研究工作時(shí)，每個(gè)臂的可控硅都有分布不均勻的電流。在大多數(shù)企業(yè)情況下，可控硅不能在170℃的導(dǎo)通角下工作，導(dǎo)通角通常需要小于我們這個(gè)導(dǎo)通角。以這種教學(xué)方式，可控硅的額定電流數(shù)據(jù)必須稍大，這應(yīng)該是學(xué)生平均水平正常運(yùn)行電流的1.5或2.0倍。

綜上所述，在選擇SICR的參數(shù)時(shí)，要根據(jù)不同的條件、線路和負(fù)載條件，使設(shè)備運(yùn)行得更好、更可靠、時(shí)間更長(zhǎng)。