在半導體器件中，可控硅屬于大功率半導體器件。主要用于達到整流、快速切斷或接通電源的目的，廣泛用于工業(yè)、通訊、交通等諸多領域的配套設備。也是電子電路的核心器件。雙向可控硅相當于兩個單向可控硅反平行。即一個單向硅陽ji與另一個陰ji并排連接，其引出端稱為T1ji，一個單向硅陰ji與另一個陽ji連接，其引出端稱為T2ji，其余為控制電ji(G)。

　　1.單向和雙向可控硅:首先測量兩個ji點，如果正向和反向測量指針都不動(R×1塊)

　　，可能是A、K或G、Aji(用于單向可控硅)或T2、T1或T2、Gji(用于雙向可控硅)。如果其中一個測量指令是幾十到幾百歐姆，那一定是單向的可控硅。而紅筆接Kji，黑筆接Gji，其余為Aji。如果正向和反向測量指示都是幾十到幾百歐姆，則bixu是雙向的可控硅。然后將旋鈕轉到R×1或R×10檔進行重新測試。如果電阻值在某一時間稍大，較大的一個將連接到Gji，黑色的一個連接到T1ji，其余的連接到T2ji。2.性能差異:將旋鈕轉到R×1位置。對于1~6A單向可控硅，紅筆接Kji，黑筆同時接Gji和Aji，斷開Gji同時保持黑筆離Aji。指針應該指示幾十歐姆到一百歐姆。此時可控硅已經(jīng)被觸發(fā)，觸發(fā)電壓低(或者觸發(fā)電流低)。然后瞬間關閉Aji再打開，指針應該回到∞位置，說明可控硅是好的。

　　對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1ji，黑筆同時接Gji和T2ji。在黑筆沒有脫離T2ji的前提下，Gji斷開，指針要指示幾十到一百多歐姆(取決于可控硅current和不同廠家)。然后，切換兩個行程，重復上述步驟測量一次，指針指示比上次略大十幾到幾十歐姆，說明可控硅良好，觸發(fā)電壓(或電流)較小。如果在Aji或T2ji保持接通的情況下，Gji斷開，指針立即回到∞位置，則表示可控硅觸發(fā)電。

　2.雙向可控硅的好壞可以用萬用表判斷，但具體參數(shù)無法測量

　　用萬用表測量的方法如下:

　　1.T2ji的確定:用萬用表R*1或R*100分別測量各引腳的反向電阻。如果兩個管腳的正負電阻都很小(100歐姆左右)，那么它們就是t1和Gji，剩下的一個就是T2ji。

　　2.區(qū)分T1和Gji:假設這兩個ji中的任意一個為T1ji，另一個為Gji，將萬用表設在R*1位置。用兩個探針(不分正負ji)分別接觸確定的T2ji和假設的T1ji，用假設的Gji接觸同時接觸T1的探針。假設T1ji不關的情況下，假設Gji關，萬用表仍顯示on狀態(tài)。

　　3.交換探針，用同樣的方法測量。如果萬用表仍然顯示相同的結果，那么假設的T1ji和Gji是正確的。假設T1ji斷開，假設Gji斷開，萬用表顯示斷開狀態(tài)，說明假設T1ji和Gji相反。如果測量是根據(jù)新的假設進行的，那么結果一定是正確的。

　　如果無法測出上述結果，則雙向可控硅不良。這種方法雖然不能測出具體參數(shù)，但判斷是否可用還是可行的。

　　雙向可控硅使用條件

　　(1)允許施加的電壓超過正向翻轉電壓，否則控制電ji將不起作用。

　　(2)可控硅的平均通態(tài)電流從anquan角度考慮一般為zui大電流的1.5~2倍。

　　(3)為了保證控制ji的可靠觸發(fā)，施加在控制ji上的觸發(fā)電流一般大于其值。此外，bixu采取保護措施。過流的保護措施一般是在電路中串快速熔斷器，其額定電流約為可控硅平均電流的1.5倍，其接入位置可在交流側或DC側，在交流側時額定電流較大。

　　一般采用前者。過電壓保護常發(fā)生在有電感的電路上，或交流側有干擾的浪涌電壓上，或交流側瞬態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓上。由于過電壓峰值高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路來yizhi。