控硅的存在發(fā)展起到很重要的作用，在一些具有特殊教育情況時，就需要將可控硅進行一個串聯(lián)或者通過并聯(lián)，從而能夠達(dá)到設(shè)計要求，接下來來說說可控硅串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？

當(dāng)可控硅額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。采用可控硅串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。

當(dāng)晶閘管靜態(tài)電壓不均勻時，串聯(lián)晶閘管的漏電流相同，但由于靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件的電壓分布不同。 這是為了選擇參數(shù)和特性盡可能與晶閘管一致，利用電阻電壓均衡，Rp電阻應(yīng)遠(yuǎn)小于器件的阻塞電阻、反向電阻。

當(dāng)晶閘管動態(tài)電壓因器件動態(tài)參數(shù)和特性的不同而不相等時，應(yīng)盡可能選擇動態(tài)參數(shù)和特性相同的晶閘管，并用 rc 并聯(lián)支路進行動態(tài)電壓均衡，采用柵極極強脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開啟時間的差異。

與晶閘管串聯(lián)不同的是，晶閘管并聯(lián)會使并聯(lián)的多個器件承受更大的電流，分別由于靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的不同，導(dǎo)致電流分配不均勻。此時應(yīng)盡可能選擇特性參數(shù)一致的器件，采用均流電抗器，用極強的門極脈沖觸發(fā)也會有助于動態(tài)均流。

需要我們注意的是當(dāng)可控硅需要進行同時通過串聯(lián)和并聯(lián)時，通?？梢圆捎孟却蟛⒌姆椒?lián)接。