可控硅的重要功能之一是穩(wěn)定電壓和電流。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。

晶閘管有幾種類型，如單向、雙向、關(guān)斷和光控。具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、易于控制等優(yōu)點(diǎn)?？捎糜诳刂普鳌⒎€(wěn)壓、逆變器、非接觸開關(guān)等自動(dòng)控制和大功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。

下面力電子廠家和社會(huì)大家說一說可控硅并聯(lián)使用需要注意控制措施。

1.影響進(jìn)行并聯(lián)裝置工作電流平衡的因素

在并行使用可控硅時(shí)，必須考慮傳導(dǎo)狀態(tài)下的均勻流動(dòng)問題。在實(shí)際應(yīng)用中，影響裝置平均流量的主要因素如下：開路時(shí)間不一致；并聯(lián)可控硅的導(dǎo)電伏特、安培特性不一致；C、并聯(lián)裝置的主電路配置不合理。

2.并聯(lián)可控硅的選擇

應(yīng)選擇并聯(lián)晶閘管，以便在整個(gè)工作電流范圍內(nèi)具有一致的接通時(shí)間和一致的伏安特性。

3. 使用并聯(lián)晶閘管裝置的注意事項(xiàng)

主電路的合理配置

在使用并聯(lián)可控硅器件時(shí)，應(yīng)特別注意各器件支路阻抗的一致性。

溫度平衡

并聯(lián)控制器件的溫度應(yīng)與學(xué)生串聯(lián)可控硅的溫度進(jìn)行相同。

在某些情況下，可以考慮針對(duì)每個(gè)SICR分支的串聯(lián)電阻、電抗器或均勻電流互感器。