周所周知，可控硅通?？梢员环Q為功率半導(dǎo)體顯示模塊。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。它是作為一種由三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體電子器件主要構(gòu)成的。我們都知道，可控硅是由陰極、陽極和控制極這三個重要組成的。那么學(xué)生怎么來鑒別能力這三個極呢？在這里小編就給大家已經(jīng)普及教育一下自己這方面對面的專業(yè)知識，話不多說，大家往下看：

1陽極和陰極之間的正向和反向電阻超過幾十萬歐元，和陽極和控制極之間的正向和反向電阻是超過幾十萬歐元（它們之間有兩個磷結(jié)，在相反的方向，所以陽極和控制極是負(fù)的）。

在控制電極和陰極之間是P-N結(jié)，因此其正向電阻在幾歐姆到幾百歐姆的范圍內(nèi)，并且反向電阻大于正向電阻。 此外，當(dāng)測量控制極正向和反向電阻時，萬用表應(yīng)放置在R*10或R*1中，以防止電壓過高的控制極反向擊穿。

如果陰極、陽極短路，或者陽極、控制極短路，或者控制極、陰極短路，或者控制極、陰極斷開，則元件損壞。

和其他半導(dǎo)體器件一樣，可控硅具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)，它已從弱電領(lǐng)域進(jìn)入高壓領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事研究、商業(yè)和民用電器等領(lǐng)域爭相采用的元件。

可控硅的特點有：

1 可控硅可以采用中國進(jìn)口玻璃鈍化方芯片，模塊導(dǎo)通壓降小，功耗低，節(jié)能設(shè)計效果具有顯著。

2.可控硅觸發(fā)電路采用進(jìn)口貼片組件組裝，所有部件均進(jìn)行高溫老化篩選，可靠性高。

晶閘管采用陶瓷鍍銅工藝，獨特的焊接工藝，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性好，載流能力大，熱循環(huán)負(fù)荷次數(shù)是國家標(biāo)準(zhǔn)的10倍。

4 可控硅觸發(fā)電路，主電路，導(dǎo)熱底板之間相互絕緣，介電強(qiáng)度≥2500ⅤAC 導(dǎo)熱底板不帶電，安 全可靠。

5 可控硅系統(tǒng)端口輸入0-10V直流信號，可對主電路設(shè)計輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行比較平滑調(diào)節(jié)。

6 可控硅管理方式方法可為：手動電位器控制;儀表內(nèi)部控制;微機(jī)系統(tǒng)控制;PLC控制等。

7西里斯特爾適用于電阻式或感應(yīng)式負(fù)載。

晶閘管五個主要參數(shù)