相信我們大家可以對(duì)于可控硅并不陌生了，現(xiàn)代在電氣工程行業(yè)的不斷創(chuàng)新發(fā)展，可控硅的使用管理范圍問題越來越廣，但是你對(duì)可控硅的了解有多少呢，它的主要技術(shù)參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家進(jìn)行講解。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅的主要參數(shù)有：

（1）額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，可以連續(xù)通過陽極-陰極之間的50hz正弦半波電流的平均值。

(2)當(dāng)沒有觸發(fā)信號(hào)施加到開路柵極并且陽極正向電壓沒有超過導(dǎo)通電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓VPF可以重復(fù)施加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。 晶閘管承受的正向電壓峰值不應(yīng)超過本手冊(cè)中給出的參數(shù)值。

(3)反向過沖峰值電壓 vpr 當(dāng)晶閘管處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可以反復(fù)施加到晶閘管的兩端。使用時(shí)，不要超過手冊(cè)中給出的參數(shù)值。

(4)柵極觸發(fā)電流Ig1，觸發(fā)電壓VGT。在規(guī)定的環(huán)境溫度下，當(dāng)在陽極和陰極之間施加一定的電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)需要較小的柵極電流和電壓。

(5) 維持工作電流IH在規(guī)定進(jìn)行溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小以及陽極產(chǎn)生正向影響電流。

近年來，許多新型可控硅器相繼出版，如適合高頻應(yīng)用的快速可控硅，可用正負(fù)觸發(fā)信號(hào)雙向控制，可用正觸發(fā)信號(hào)引導(dǎo)，可控硅器可用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使可控硅器關(guān)閉等。