晶閘管智能調壓模塊本質上是一種專用模板，采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內(nèi)3C認證。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。

 今天，本系列的小部分和我們談到的可控硅智能調節(jié)模塊的使用時要注意：

1 模塊電流規(guī)格的選取

晶閘管智能穩(wěn)壓模塊的選擇如下:

阻性負載:模塊的標稱電流應該是負載額定電流的兩倍。電感:模塊的標稱電流應為負載額定電流的3倍。

2 導通角要求

可控硅智能調壓模塊在較小導通角時輸出一個較大影響電流， 這樣不僅會使學生模塊以及嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，要求管理模塊設計應在較大導通角下（100度以上）工作。

3 控制電源要求

可使用（1）開關電源，也可使用線性電源（即變壓器整流器穩(wěn)壓電源）。開關電源外殼應采用屏蔽罩。濾波器電容為2200f/25v的線性電源。

（2）控制電源的極性應正確連接到晶閘管智能調壓模塊的控制端口，嚴禁反向連接。 否則模塊控制電路將燒壞。

4 使用環(huán)境要求

（1）環(huán)境工作場所溫度范圍：-25℃~+45℃。

（2）模塊以及周圍應干燥、通風、遠離主要熱源、無塵、無腐蝕性離子液體或氣體。

5 其它要求

（1）小規(guī)格可控硅進行智能通過調壓功能模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應注意可以避免由于外力或電纜以及重力將電極拉起折斷。

（2）嚴禁將電纜和銅線直接壓在可控硅智能調壓模塊的電極上，防止接觸不良引起額外加熱。

（3）該模塊不能用作隔離開關。為確保安全，應在模塊輸入端部的前面增加一個空氣開關。

(4)在測量模塊工作殼體溫度時，測試點應接近可控硅智能調壓模塊底板中心的散熱器表面。

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