又稱(chēng)硅器整流元件，是一種由三個(gè)P內(nèi)部結(jié)構(gòu)組成的高功率半導(dǎo)體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。在性能方面，CR具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢(xún)蓚€(gè)優(yōu)點(diǎn)，但它只有開(kāi)和關(guān)兩種狀態(tài)。

晶閘管具有功率放大倍數(shù)的功能，可將數(shù)百功率放大到數(shù)千倍甚至幾萬(wàn)倍，具有響應(yīng)速度快、無(wú)火災(zāi)、無(wú)噪聲、成本低、效率高的特點(diǎn)。 基于以上優(yōu)點(diǎn)，晶閘管被廣泛應(yīng)用于大功率、供電系統(tǒng)以及非接觸式輸出開(kāi)關(guān)等電路中。

可控硅從外形上可以發(fā)展分為：平板形、平底行以及通過(guò)螺栓行這三種。

根據(jù)晶閘管的工作原理：

SiCR是一種四層三端器件，它有三個(gè)J1、J2、J3PN結(jié)，可將其N(xiāo)P分為兩部分，形成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管復(fù)合管。

當(dāng)晶閘管受到正向陽(yáng)極電壓作用時(shí)，受到反向電壓作用的 pn 結(jié) j2必須失去阻斷作用，才能使晶閘管導(dǎo)通。每個(gè)晶體管的集電極電流也是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)晶體管電路是互相組成的。當(dāng)柵極電流足夠大時(shí)，形成強(qiáng)正反饋，導(dǎo)致兩個(gè)晶體管的飽和導(dǎo)電。

說(shuō)完這些，在說(shuō)一下可控硅的工作條件有哪些：

由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種管理工作生活狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種技術(shù)特性研究需要進(jìn)行一定的條件我們才能轉(zhuǎn)化,此條件見(jiàn)表1。

（1）當(dāng)可控硅承受反向負(fù)極電壓時(shí)，無(wú)論柵極承受什么電壓，它都會(huì)被關(guān)閉。

（2）晶閘管暴露于正向陽(yáng)極電壓時(shí)，只有當(dāng)柵極暴露于正向電壓時(shí)，晶閘管才導(dǎo)通

（3）當(dāng)晶閘管通電時(shí)，只要存在一定的正極電壓，無(wú)論門(mén)極電壓是多少，晶閘管都保持通電狀態(tài)，那么門(mén)極就失去了作用。

（4）可控硅在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路工作電壓(或電流)減小到一個(gè)接近于零時(shí),可控硅進(jìn)行關(guān)斷。

以上問(wèn)題就是通過(guò)可控硅的運(yùn)用，你學(xué)會(huì)了嗎？

看看，看看：硅-o的使用情況

欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站