標準1：為了接通晶閘管（或三端雙向可控硅開關），必須有大于IGT的柵極電流，直到負載電流達到IL。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 必須根據可能遇到的低溫來滿足和考慮該條件。

規(guī)則2: 若要斷開(開關)晶閘管(或雙向晶閘管) ，負載電流必須處于兩者之間，才能恢復到截止狀態(tài)。這些條件必須在可能的高操作溫度下滿足。

準則3：在設計雙向可控硅觸發(fā)電路時，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。

準則4：為了能夠減少雜波進行吸收，將柵極結構連接的長度逐漸變小，可以通過直接結果返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果我們使用硬線，則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻變化小于或者等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯。另一種方式解決問題方案是使用H系列低靈敏度以及雙向可控硅。

規(guī)則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT有問題，請在MT1和MT2之間添加一個RC緩沖電路。如果高dicom/DT可能導致問題，增加幾個mh電感和負載串聯。另一個解決方案是使用高通信雙向硅。

標準6：在供電嚴重異常的瞬態(tài)過程中，如果可能超過三端雙向可控硅開關的電壓互感器，則采取以下措施之一：在負載上設置多個muh串聯電感，限制DIT/DT電壓互感器；連接電源，在電源側增加濾波電路。

準則7: 通過選擇合適的觸發(fā)電路和避免象限條件，可以大大提高雙向晶閘管的容量。

標準8：如果可能超過三端雙向可控硅開關的DIT/DT，則在負載上串聯一個沒有芯電感或幾個 μ H的負溫度系數的熱敏電阻。 另一個解決方案是電阻負載的零電壓傳導。

規(guī)則9：當裝置固定在散熱器上時，避免對雙向控制可控硅施加一定壓力，然后進行焊接連接導線。不要將鉚釘芯軸放在教學設備管理接口件的側面。

規(guī)則10：確保Rthj-a足夠低，可以長時間可靠地工作，以保持TJ不高于Tjmax，對應于可能的高環(huán)境溫度。