使用雙向晶閘管時(shí)，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):

1.靈敏度

　　雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們可以不再稱(chēng)其兩極為陰陽(yáng)極，而是一種稱(chēng)作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓技術(shù)無(wú)論為正向作用觸發(fā)信號(hào)脈沖或負(fù)向情感觸發(fā)進(jìn)行脈沖均可使企業(yè)控制極導(dǎo)通，但是通過(guò)觸發(fā)方法靈敏度之間互不影響相同，即保證學(xué)生雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。

2.硅控過(guò)載的保護(hù)

晶閘管元件有許多優(yōu)點(diǎn)，但其過(guò)載能力較差，短時(shí)過(guò)流、過(guò)電壓會(huì)對(duì)元件造成損壞，因此為了保證元件的正常工作，必須有以下條件：

(1)施加電壓允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)向電壓，否則控制桿不起作用;

(2)從安全角度考慮，可控硅的平均通態(tài)電流一般為較大電流的1.5~2倍；

(3)為保證內(nèi)部控制極可靠觸發(fā)，加到管理控制極的觸發(fā)工作電流進(jìn)行一般取大于其額值，除此以外，還必須通過(guò)采取有效保護(hù)技術(shù)措施，一般可以對(duì)過(guò)流的保護(hù)政策措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定輸出電流取可控硅電流計(jì)算平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在學(xué)生交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在學(xué)習(xí)交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在社會(huì)存在一個(gè)電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)一些干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)分析過(guò)程發(fā)展產(chǎn)生的過(guò)壓。由于，過(guò)電壓的尖峰高，作用研究時(shí)間短，常采用不同電阻和電容吸收系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)加以抑制。

3.控制大電感負(fù)荷時(shí)電網(wǎng)的干擾和自干擾

可控硅元件控制大電感負(fù)載，原因是可控硅元件控制連接感應(yīng)負(fù)載的電路切斷時(shí)，線圈內(nèi)的電流路徑很大，所以電感有高電壓，通過(guò)開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)內(nèi)電阻的電壓反復(fù)放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的必要電壓，此過(guò)程中產(chǎn)生大脈沖束。這些脈沖束疊加在電源電壓上，然后干擾被傳輸?shù)诫娫淳€或以輻射方式到周?chē)臻g。該脈沖具有高振幅和寬頻率，因此具有敏感負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)強(qiáng)噪聲源。