可控硅整流器(可控硅)是一種開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電氣行業(yè)，在設(shè)備中起著重要的作用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。但是，可控硅仍然存在一些需要注意的問(wèn)題。讓我給你解釋一下。

當(dāng)觸發(fā)控制脈沖的持續(xù)發(fā)展時(shí)間較短時(shí)，脈沖信號(hào)幅度必須進(jìn)行相應(yīng)成本增加，同時(shí)通過(guò)脈沖寬度也取決于陽(yáng)極電流可以達(dá)到擎住電流的時(shí)間。在系統(tǒng)中，由于學(xué)生感性負(fù)載的存在，陽(yáng)極電流不斷上升率低，若不施加寬脈沖觸發(fā)，則可控硅往往我們不能為了維持導(dǎo)通狀態(tài)?？紤]不同負(fù)載是強(qiáng)感性的情況，本系統(tǒng)主要采用一個(gè)高電平觸發(fā)，其缺點(diǎn)是可控硅損耗過(guò)大。

在可控硅的應(yīng)用過(guò)程中，影響截止時(shí)間的因素有結(jié)溫度、狀態(tài)電流及其下降速率、反向恢復(fù)電流下降速率、反向電壓和正向dv/dt值。結(jié)溫度和反向電壓影響較大，結(jié)溫度越高，停機(jī)時(shí)間越長(zhǎng)；反向壓力越高，停機(jī)時(shí)間越短。

在該系統(tǒng)中，由于電感負(fù)載的存在，在換向過(guò)程中，電感將在兩端產(chǎn)生較大的反電勢(shì)。 施加在晶閘管兩端的這種異常電壓容易對(duì)晶閘管造成損壞。 為了防止這種情況，通常使用浪涌電壓吸收電路。

由于感性負(fù)載的存在，觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)該增大，否則在陽(yáng)極電流到達(dá)發(fā)動(dòng)機(jī)電流之前，觸發(fā)信號(hào)就會(huì)減弱，導(dǎo)致晶閘管不能正常工作。在關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載也會(huì)對(duì)晶閘管造成一定的影響。

以上是可控硅的注意事項(xiàng)。希望你在使用過(guò)程中一定要注意以上問(wèn)題。