提到可控硅，我相信我們并不陌生，它是一個(gè)高功率的電氣元件，在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可以用作一個(gè)高功率的驅(qū)動(dòng)裝置。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。在西西里爾的基礎(chǔ)上發(fā)展后，形成了所謂的雙向西里爾。雙向可控硅器不僅可以取代兩個(gè)反極并聯(lián)可控硅，而且比普通可控硅器簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)觸發(fā)電路，是一種理想的交流開(kāi)關(guān)裝置。

雖然三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)在形式上可以看作是兩個(gè)普通晶閘管的組合，但它實(shí)際上是一個(gè)由七個(gè)晶體管和幾個(gè)電阻器組成的功率集成器件。 小功率雙向晶閘管一般采用塑料包裝，有些還配有散熱板。 triac屬于npnpn五層器件，三個(gè)電極是T1、T2、G。因?yàn)槠骷梢允请p導(dǎo)電的。 由于三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)的正向和反向特性曲線是對(duì)稱(chēng)的，它可以在任何方向上傳導(dǎo)。

雙向可控硅可被我們認(rèn)為是一種一對(duì)反并聯(lián)一個(gè)連接的普通可控硅的集成，工作基本原理與普通學(xué)生單向可控硅相同。

耐壓水平的選擇:通常將VDRM(關(guān)態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的一個(gè)標(biāo)為器件的額定電壓。

電流的確定： 由于企業(yè)雙向可控硅通?？梢杂迷诮涣飨到y(tǒng)電路中，因此我們不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定工作電流值。

選擇開(kāi)啟狀態(tài)（峰值）電壓VTM：是STC額定電流的指定倍數(shù)時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少SICR的熱損失，應(yīng)盡量選擇較小的VTM。

保持電流：IH是保持晶閘管導(dǎo)通所需的最小主電流，與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，IH越小。

抗電壓上升速率: dv/dt 是指電壓在關(guān)斷狀態(tài)下上升的斜率，是防止雙向晶閘管誤觸發(fā)的關(guān)鍵參數(shù)。

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