現(xiàn)有通過可控硅進(jìn)行智能技術(shù)控制管理模塊的外形有55型、100型、200型、320型、500型、1000型、2000型，7種外形。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅進(jìn)行智能技術(shù)控制管理模塊內(nèi)的主要部分組成結(jié)構(gòu)材料：模塊主要由散熱銅底板、可控硅芯片、DBC(陶瓷覆銅板)、移相觸發(fā)控制板、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂、輸入數(shù)據(jù)輸出一個(gè)電極、控制相關(guān)信號(hào)通過端口等組成。

可控硅智能控制模塊內(nèi)部芯片：模塊采用德國(guó)進(jìn)口方形芯片，芯片耐壓1200～2200VDC。

晶閘管智能控制模塊內(nèi)部主電路，散熱銅底板，控制端口絕緣:

模塊主電路采用介質(zhì)強(qiáng)度VISO(RMS)≥ 2500 VAC的DBC陶瓷覆銅板絕緣，控制端口(觸發(fā)電路)與晶閘管主電路電磁隔離。 它們的互介電強(qiáng)度VISO(RMS)≥ 2000VAC。 可控硅芯片采用彈性硅膠保護(hù)，環(huán)氧樹脂密封。

可控硅智能技術(shù)控制管理模塊的電聯(lián)結(jié)形式：

根據(jù)主電源輸入和負(fù)載的不同，將模塊分為三相整流、三相交流、三相交流、單相整流、單相交流四種電氣連接形式。

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