可控硅和IGBT模塊都屬于電氣設備。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。它們在電氣行業(yè)的作用有相似之處，但也有不同之處。讓我們來看看可控硅和IGBT模塊之間的區(qū)別。

可控硅和IGBT模塊進行結構設計不同

可控硅(可控硅)，又稱可控硅，在高壓、大電流的應用中，可控硅是主流的電源器件，IGBT模塊發(fā)展迅速，有取代可控硅的趨勢。可控硅在大容量、低頻功率的電子設備中仍然占主導地位。有許多硅衍生器件具有優(yōu)異的性能，如快速、雙向、反向反向、門關閉和光控制。

IGBT晶閘管結構為絕緣柵雙極場效應晶體管，可觸發(fā)導通，也可關斷，因此被稱為全控制器件，IGBT晶閘管具有輸入阻抗高、開關速度快、安全工作區(qū)寬、飽和電壓低（甚至接近GTR飽和壓降）、耐壓高、電流大等優(yōu)點。 它應用于小容量變頻電源、電機調速、UPS及逆變焊機等領域，是發(fā)展較快的新一代功率器件。 隨著封裝技術的發(fā)展，IGBT模塊在許多應用中已經取代了可控硅。

晶閘管與 igbt 模塊工作原理比較

兩種工作原理的區(qū)別在于晶閘管是由電流控制的，IGBT模塊是由電壓變化控制的。IGBT可以關斷，晶閘管只有在電流過零時才能關斷，IGBT的工作頻率高于門極模塊。IGBT是一個完全控制的電壓驅動的半導體開關，可以打開和關閉。可控硅整流器需要電流脈沖來驅動。一旦接通，門極就關不了，主電路電流需要關斷或者很小才能關斷。

可控硅像開關技術一樣通斷電流，像閘門一樣關停水流，它的核心重要作用主要就是我們一個字“閘”；所以可控硅有兩個工作狀態(tài)，一個是導通狀態(tài)，一個是截至目前狀態(tài)；可控硅的狀態(tài)以及怎么可以改變，它有自己一個國家控制極，又叫觸發(fā)極，給觸發(fā)極加控制系統(tǒng)電壓，就可使可控硅的狀態(tài)反轉；不同學習材料、不同經濟結構的可控硅，控制極的控制輸出電壓的性質、幅度、寬度、作用方式都不存在一樣。只有可控硅陽極和門極同時能夠承受能力正向影響電壓時，可控硅才能導通，兩者之間缺一不可。可控硅一旦導通后，門極將失去自我控制管理作用，門極電壓對管子以后的導通與關斷均不起作用，故門極控制信號電壓只要是有一定寬度的正向脈沖輸入電壓即可，這個過程中脈沖稱為觸發(fā)脈沖。 要使已導通的可控硅關斷，必須使陽極電流降低到某一個具體數(shù)值分析以下。這可不是通過不斷增加文化負載電阻有效降低陽極電流，使其更加接近于0。

IGBT模塊是一種非開關開關，由BJT（雙極三極管）和MOS（絕緣柵場效應管）組成的復合全控制電壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET高輸入阻抗和GTR低導電電壓降低的優(yōu)點。