1. 電阻性負(fù)載與知覺(jué)性負(fù)載的差異

阻性負(fù)載和感性負(fù)載的區(qū)別在于:

電阻我們不能進(jìn)行存貯能量，但感性負(fù)載但能貯存能量。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。電感中的電流發(fā)生變化情況時(shí)會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生反電勢(shì)。電流不斷變化發(fā)展越快，反電勢(shì)越高。如電感負(fù)載可以使用中突然開(kāi)路，將會(huì)擊穿可控硅。

2.感性負(fù)載應(yīng)用問(wèn)題

（1）當(dāng)感知負(fù)載關(guān)閉時(shí)，電流會(huì)產(chǎn)生高電壓，容易引起可控硅擊穿。電阻吸收電路在關(guān)閉時(shí)可以吸收過(guò)電壓。注：R1和C1分別用于電阻吸收。圖（1）

（1）單相交流應(yīng)用

 當(dāng)（2）整流模塊應(yīng)用于電感負(fù)載時(shí)，當(dāng)模塊停止時(shí)，應(yīng)緩慢關(guān)閉整流模塊，否則電感器中的背電位可能會(huì)使模塊擊穿。 在不可逆系統(tǒng)中，建議增加續(xù)流二極管。 如圖(2)所示，D1是飛輪，L1是感應(yīng)負(fù)載。

（2）感性負(fù)載應(yīng)用

（3）感應(yīng)負(fù)載在整流器應(yīng)用中，如果沒(méi)有反激二極管，控制信號(hào)在0-5v 范圍內(nèi)輸出直流電壓很低，但交流電壓很高，控制信號(hào)大于5伏，輸出直流電壓開(kāi)始增加(不用反激二極管)。

原因:感性負(fù)載中儲(chǔ)存的能量在電網(wǎng)電壓過(guò)零時(shí)無(wú)法關(guān)閉并繼續(xù)開(kāi)啟，導(dǎo)致負(fù)電壓輸出，使得模塊輸出的DC電壓接近零伏。

（4）感性負(fù)載在交流調(diào)壓模塊設(shè)計(jì)應(yīng)用中也有其固有社會(huì)現(xiàn)象，變壓器原邊調(diào)壓時(shí)如果是空載或者工作負(fù)載很輕時(shí)，控制系統(tǒng)信號(hào)相互作用研究范圍很窄。負(fù)載能力越大越趨于一個(gè)正常。

原因是：

1.空載（變壓器）電流很小，不能保持可控硅的正常傳導(dǎo)。

變壓器阻抗角很大。

控制感性負(fù)載時(shí)，特別是變壓器空載時(shí)，輸出電壓不平衡。

原因是感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的關(guān)斷電壓很高，與感性負(fù)載大小有關(guān)的三相負(fù)載之間的誤差會(huì)造成很大的電壓不平衡。

以上可控硅廠家為您簡(jiǎn)單分析介紹了可控硅調(diào)壓技術(shù)產(chǎn)品在感性和阻性負(fù)載數(shù)據(jù)應(yīng)用中的不同點(diǎn)和注意安全事項(xiàng)，希望自己能給您的選擇帶來(lái)幫助，如果您有沒(méi)有其他不解或疑問(wèn)企業(yè)可以致電公司發(fā)展進(jìn)行系統(tǒng)詳細(xì)信息咨詢，我們將給您專業(yè)的解答。