有很多客戶(hù)在咨詢(xún)過(guò)程中問(wèn)自己最近改變了硅有多壞？經(jīng)我們的分析和實(shí)驗(yàn)作以下解釋?zhuān)﹨⒖肌?strong>整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。

高溫會(huì)導(dǎo)致晶閘管燒壞，溫度是由晶閘管電性能、熱性能和結(jié)構(gòu)性能決定，因此，為了保證晶閘管在開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量，必須從電特性、熱特性和結(jié)構(gòu)特性三個(gè)方面入手，這三個(gè)方面是緊密聯(lián)系和不可分割的。 因此，在可控硅的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)中應(yīng)充分考慮電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。 晶閘管燒壞的原因有很多，一般來(lái)說(shuō)，晶閘管只有在三者共同作用下才會(huì)燒壞，并且由于單個(gè)特性的退化，很難導(dǎo)致晶閘管燒壞。 因此，我們可以在生產(chǎn)過(guò)程中充分利用這一特點(diǎn)，即如果其中一個(gè)應(yīng)力不能滿(mǎn)足其他兩個(gè)應(yīng)力的要求，可以采取增加的方式進(jìn)行彌補(bǔ)。

從可控硅的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘 管各參數(shù)性能的下降或線(xiàn)路問(wèn)題會(huì)造成可控硅燒壞，從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成可控硅燒壞的現(xiàn)象是不同的，因此通過(guò)解剖燒壞的可控硅就可以判斷是哪個(gè)參數(shù)造成 可控硅燒壞的。

電壓引起可控硅燒壞現(xiàn)象

一般這種情況下進(jìn)行陰極材料表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于工作電壓可以引起的，由電壓變化引起燒壞可控硅的原因有兩中可能，一是可控硅電壓控制失效，就是因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在常說(shuō)的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是旅游線(xiàn)路設(shè)計(jì)問(wèn)題，線(xiàn)路中產(chǎn)生了過(guò)電壓，且對(duì)可控硅所采取的保護(hù)管理措施分析失效。

電流導(dǎo)致可控硅被燒毀

電流是否燒壞可控硅通常是通過(guò)陰極材料表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬進(jìn)行大面積溶化。

Di/dt 引起的可控硅燒毀

由di/dt引起的晶閘管燒損容易判斷，在柵電極或柵電極附近通常會(huì)燒一個(gè)小的黑點(diǎn)。 我們知道，晶閘管的等效電路由兩個(gè)晶閘管組成，柵極對(duì)應(yīng)的晶閘管作為觸發(fā)器，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到達(dá)時(shí)放大，然后盡快導(dǎo)通主晶閘管。 但是，如果在短時(shí)間內(nèi)電流過(guò)大，則主晶閘管沒(méi)有完全導(dǎo)通，大電流主要流過(guò)柵極對(duì)應(yīng)晶閘管，晶閘管承載電流的容量很小，因此導(dǎo)致該晶閘管燒壞，表面看起來(lái)是門(mén)極或?qū)㈤T(mén)極放在附近燒出一個(gè)小黑點(diǎn)。

　　dv/dt引起控制可控硅燒壞或者現(xiàn)象

　　至于dv/dt其本身是不會(huì)燒壞可控硅的，只是高的dv/dt會(huì)使可控硅誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。