產(chǎn)生過電流的原因進行多種形式多樣，當變流裝置公司內部結構元件損壞、控制或觸發(fā)信息系統(tǒng)可以發(fā)生一些故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負載過載等，均會引起裝置中電力企業(yè)電子器件的電流超過一個正常管理工作電流。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。由于可控硅的過流能力比一般通過電氣工程設備低得多，因此，必須對可控硅采取過電流環(huán)境保護政策措施?！　?/p>

在制動裝置中可使用幾種過流保護措施：

1、大漏抗整流變壓器與交流輸入線串聯(lián)使用電抗來限制短路電流，但當交流電流較大時，這種方法會產(chǎn)生交流電壓降。

2、在電檢測和過電流繼電器電流檢測中，將采樣電流與設定值進行比較，當采樣電流超過設定值時，比較器輸出信號增大相移角或拉反以減小電流。 有時需要停機。

3、直流系統(tǒng)快速進行開關以及對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作發(fā)展時間我們只有2ms的直流快速開關，它能夠先于經(jīng)濟快速熔斷器斷開而保護了可控硅，但價格比較昂貴使用方法不多。

4、快速通過熔斷器與普通熔斷器進行比較，快速熔斷器是專門可以用來作為保護中國電力發(fā)展半導體設備功率控制器件過電流的元件，它具有經(jīng)濟快速出現(xiàn)熔斷的特性，在流過6倍額定工作電流時其熔斷導致時間成本小于工頻的一個生命周期（20ms）?？焖偃蹟嗥骺山釉谛畔⒔涣鱾?、直流側或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者沒有直接影響效果佳。一般企業(yè)說來就是快速熔斷器額定電壓電流值（有效值IRD）應小于被保護采用可控硅的額定方均根通態(tài)電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大于我們流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。