1957年制造出基于硅單晶的P1N1P2N2四層三端器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。由于其特性與真空晶閘管相似，國(guó)際上通常稱之為硅晶閘管，簡(jiǎn)稱可控硅 T。由于可控硅應(yīng)用于可控整流，所以也叫可控硅整流元件，簡(jiǎn)稱可控硅。

在性能上，可控硅不僅可以具有一個(gè)單向?qū)щ娦?，而且同時(shí)還具有比硅整流電路元件（俗稱“死硅”）更為重要可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種不同狀態(tài)。

Siroso可以用毫級(jí)電流控制大功率機(jī)電設(shè)備。如果頻率超過(guò)該頻率，由于分量的開(kāi)關(guān)損耗顯著增加，則允許通過(guò)的平均電流減小。此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降低。

晶閘管具有小功率控制大功率、功率放大幾十萬(wàn)次、反應(yīng)速度快、開(kāi)關(guān)在微秒級(jí)、無(wú)接觸、無(wú)火花、無(wú)噪聲、效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

可控硅缺點(diǎn): 靜、動(dòng)態(tài)過(guò)載能力差，易受干擾誤導(dǎo)。

從外觀上看，可控硅可分為螺栓形、平板形和平底形。