體積小、重量輕、可靠性高、價格低廉...這就是晶閘管的定義。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內(nèi)3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 硅控憑借上述優(yōu)勢，一旦誕生了大量的功率半導(dǎo)體廠商，可謂供不應(yīng)求。

Scr 通常被稱為功率半導(dǎo)體器件模塊。這是一個由四層的三個 pn 結(jié)組成的功率半導(dǎo)體器件。

今天，邊肖將和你談?wù)?a href="http://www.qhlip.cn/">可控硅的五個主要參數(shù):

1 額定通態(tài)平均工作電流IT在一定經(jīng)濟條件下，陽極---陰極間可以進行連續(xù)不斷通過的50赫茲發(fā)現(xiàn)正弦半波電流的平均值。

2正向阻斷峰值電壓中的控制極開路電壓VPF無觸發(fā)信號，陽極正電壓未超過導(dǎo)通電壓，可在可控硅的兩端重復(fù)添加正向峰值電壓。CR的正向電壓峰值不能超過手冊中給出的這個參數(shù)值。

3反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)施加反向電壓的晶閘管處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)晶閘管兩端的反向峰值電壓。 使用時，不能超過本手冊中給出的參數(shù)值。

4觸發(fā)電流 ig1，觸發(fā)電壓 vgt 晶閘管在特定環(huán)境溫度下，在陽極和陰極之間施加電壓時，從關(guān)斷狀態(tài)到通斷狀態(tài)所需的最小電流和電壓。

5保持電流IH，在規(guī)定的溫度下，控制電極的開路，并維持晶閘管導(dǎo)通所需的最小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適用于高頻應(yīng)用的快速可控硅、正負觸發(fā)信號控制的雙向可控硅、正觸發(fā)信號控制導(dǎo)通、負觸發(fā)信號控制關(guān)斷的可控硅等。

以上問題便是小編給大家進行整理的有關(guān)可控硅的參數(shù)，希望對大家可以有所發(fā)展幫助。

雙向控制硅的特性及應(yīng)用