可控硅的強(qiáng)觸發(fā)方式及其主要優(yōu)點(diǎn)
發(fā)布時間: 2022-07-15 11:01:16 人氣:427 次
天狼星是一種電流控制的雙極半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn),通過歐共體CE認(rèn)證,國際ISO9000認(rèn)證,國內(nèi)3C認(rèn)證。柵極驅(qū)動單元類似于電流源,它可以向西星的柵極提供特別陡峭的尖峰電流脈沖,以確保它可以在任何時候可靠地觸發(fā)。可控硅的門觸發(fā)脈沖特性對可控硅的額定值和特性參數(shù)有很大的影響。強(qiáng)觸發(fā)模式可以縮短開度時間,減少開度損耗,提高設(shè)備對di/dt的容忍能力。
一、觸發(fā)脈沖幅度對晶閘管開度的影響
晶閘管門極觸發(fā)電流的幅值對器件的開通速度有明顯的影響,高門極觸發(fā)電流可以明顯減少器件的開通時間。
當(dāng)觸發(fā)脈沖幅度僅為器件IGT時,雖然可以開啟器件,但器件的開啟延時明顯,達(dá)到幾十微秒,不利于整個設(shè)備的可靠控制和安全運(yùn)行。
二、觸發(fā)控制脈沖持續(xù)上升發(fā)展時間(陡度)對可控硅開通的影響
觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對可控硅的開啟速度也有顯著影響。觸發(fā)脈沖上升時間越長,其效果就等于降低了柵極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時間越短,CR開啟時間越短。
三、柵極觸發(fā)源晶閘管可靠觸發(fā)要求
(1) 一般要求:
觸發(fā)脈沖電流幅值:IG=10IGT;
脈沖持續(xù)上升發(fā)展時間:tr≤1μs;
(2)使用高 di/dt:
當(dāng)器件在高di/dt下使用時,特別是當(dāng)可控硅的阻塞電壓非常高時,在打開過程中,由柵極-陰之間的橫向電阻產(chǎn)生的電壓可能超過柵極電壓,甚至使柵極電流回流。這種負(fù)柵電流導(dǎo)致打開損耗增加,并可能導(dǎo)致高雙/分損壞。
因此,我們要求柵極觸發(fā)電源電壓VG不小于20V,或者二極管串聯(lián)在柵極線上,以防止柵極電流在高di/dt下工作時回流。
(3)可控硅串聯(lián)和并聯(lián)使用
可控硅的串聯(lián):晶閘串聯(lián)管應(yīng)用時,要求其進(jìn)行相互之間串聯(lián)的每個可控硅應(yīng)盡我們可能地一致通過開通??煽毓璧牟⒙?lián):陡而強(qiáng)的門極觸發(fā)一個脈沖技術(shù)能使系統(tǒng)并聯(lián)可控硅可以開通時間特性的不平衡問題降至較小,從而使有較佳的均流效果。