可控硅作為一種常見(jiàn)的電子元件，在安裝使用前需要識(shí)別其三極。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證?？偟膩?lái)說(shuō)，可控硅三極的方法很簡(jiǎn)單。根據(jù)pn結(jié)原理，用萬(wàn)用表測(cè)量三極之間的電阻即可。

　　陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間的正向和反向影響電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向進(jìn)行電阻在幾百千歐以上(它們發(fā)展之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且研究方向具有相反，因此作為陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。

控制極和陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，其正向電阻在幾歐元-幾百歐元范圍內(nèi)，反向電阻大于正向電阻。然而，控制極二極管的特性并不理想，反向不是完全阻塞狀態(tài)，可以有相對(duì)較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)量的控制極反向電阻相對(duì)較小，并不意味著控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制桿的正負(fù)電阻時(shí)，應(yīng)將萬(wàn)用表放在R*10或R*1塊中，以防止高壓控制桿反向擊穿。

如果元件陰極和陽(yáng)極的正、負(fù)方向短路，或者陽(yáng)極和控制電極短路，或者控制電極和陰極短路，則元件損壞。

還有一種方法來(lái)測(cè)試晶閘管是否可以被觸發(fā)，晶閘管和燈泡是否串連在一起，連接到直流電源，如果燈亮，則柵極接觸陽(yáng)極指示晶閘管是否可以被觸發(fā)。