鑒別胸腺三極的方法非常簡(jiǎn)單。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)P-N結(jié)原理，用萬(wàn)用表測(cè)量三極之間的電阻值。由于缺乏這方面的相關(guān)知識(shí)，許多客戶(hù)在識(shí)別晶閘管的三極時(shí)會(huì)存在很多問(wèn)題。以下詳細(xì)信息：

陽(yáng)極和陰極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐，陽(yáng)極和控制電極之間的正向和反向電阻大于幾百千歐(它們之間有兩個(gè)p-n結(jié)，方向相反)，因此陽(yáng)極和控制電極的正和負(fù)方向不切換。

在控制電極和陰極之間有一個(gè) p-n 結(jié)，因此正向電阻在幾到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。但是，控制二極管的特性不理想，反向不是完全堵塞狀態(tài)，可能會(huì)有較大的電流通過(guò)，所以有時(shí)被測(cè)控制極的反向電阻很小，不能說(shuō)控制極的特性不好。此外，萬(wàn)用表在測(cè)量控制桿的正負(fù)電阻時(shí)，應(yīng)放在 r * 10或 r * 1內(nèi)，以防止控制桿因電壓過(guò)高而反向擊穿。

如果測(cè)量到元件的陽(yáng)極和陰極正向和反向短路，或者陽(yáng)極和控制電極短路，或者控制電極和陰極短路，或者控制電極和陰極開(kāi)路，則元件損壞。

可控硅和其它國(guó)家半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作提供可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體信息技術(shù)從弱電工程領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為中國(guó)工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通安全運(yùn)輸、軍事教育科研以至我國(guó)商業(yè)、民用電器管理等方面爭(zhēng)相研究采用的元件。

公司生產(chǎn)各類(lèi)可控硅智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各種控制柜、控制板等配套產(chǎn)品，真誠(chéng)期待與各家公司和采購(gòu)人員合作，提供廉價(jià)、可靠的電子元件質(zhì)量。