當(dāng)可控硅損壞后，一定要能夠及時(shí)找到損壞的原因，然后立即開始進(jìn)行系統(tǒng)故障信息處理，下面教你如何通過區(qū)分可控硅損壞的原因。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。

當(dāng)需要查看和分析原因時(shí)，可以從冷卻組中取出芯件，打開芯件盒，然后取出芯片，調(diào)查損傷后的痕跡，以查明原因。下面介紹了幾種常見的外觀分析。

當(dāng)前損壞。 電流損傷痕跡的特征在于芯片被燒入凹坑中并且粗糙且遠(yuǎn)離控制電極定向。

電壓擊穿。可控硅(scr)被不可接受的電壓損壞，其芯片上有一個(gè)小的、發(fā)光的孔，有時(shí)可以通過擴(kuò)展器看到。原因可能是電子管本身對電壓降的電阻或斷開電路時(shí)發(fā)生的高壓擊穿。

目前的上升率受損。其跡線與電流損傷相同，方位在控制極附近或剛好在控制極上。

邊際損壞。他發(fā)生在一個(gè)芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)研究金屬物劃痕。這是我們制作生產(chǎn)廠家控制裝置存在不小心所形成的。它致使工作電壓擊穿。

以上4個(gè)原因是常見的可控硅損傷原因，遇到可控硅損傷的事情，應(yīng)冷靜分析。