雙向可控硅是目前進(jìn)行交流調(diào)壓使用管理范圍很廣的領(lǐng)域，它的優(yōu)點(diǎn)有很多，比如一個(gè)具有體積小、重量輕、效率高和使用可以方便等，對(duì)提高企業(yè)生產(chǎn)工作效率和降低物流成本等都有非常明顯的效果，但是同時(shí)它也有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)產(chǎn)生干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面我們就來說說可控硅在使用中如何有效避免因?yàn)檫@些社會(huì)問題。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

1.觸發(fā)靈敏度的控制

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，在圖1所示的四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度高，(b)觸發(fā)靈敏度低，為了保證觸發(fā)同時(shí)又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。

2. 三端雙向可控硅過載保護(hù)

雙向晶閘管具有許多優(yōu)點(diǎn)，但過載能力差，短時(shí)過流和過電壓會(huì)造成元件損壞，因此為了保證元件的正常運(yùn)行，需要滿足以下條件:

(1)施加的電壓允許超過正向翻轉(zhuǎn)電壓，否則控制電極不起作用；

(2) 雙向可控硅的通態(tài)平均工作電流從安全管理角度進(jìn)行考慮企業(yè)一般按電流的1.5～2倍來??；

(3)為保證控制觸發(fā)可靠，控制極的觸發(fā)電流一般大于其前值；

此外，還需要采取保護(hù)措施，一般過流保護(hù)措施是在電路中連接一個(gè)額定電流約為晶閘管電流平均值1.5倍的快速熔斷器。 連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)額定電流在交流側(cè)時(shí)，通常采用交流側(cè)，帶電感的電路經(jīng)常發(fā)生過電壓保護(hù)。 或交流側(cè)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)瞬態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓。 由于過電壓峰值高、作用時(shí)間短，通常采用電阻和電容吸收電路來抑制過電壓。

3. 控制大電感負(fù)載時(shí)，避免電網(wǎng)干擾和自身干擾

雙向晶閘管控制較大感性負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。原因是當(dāng)晶閘管模塊控制一個(gè)與感性負(fù)載相連的電路關(guān)斷或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，變化率極高，于是在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，通過電源的內(nèi)阻施加到開關(guān)觸點(diǎn)兩端，然后將感應(yīng)電壓反復(fù)放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需的電壓，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)巨大的脈沖束。這些脈沖束疊加在電源電壓上，以輻射的形式將干擾傳輸?shù)诫娫淳€或周圍空間。這種脈沖幅度大，頻率寬，所以帶感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是強(qiáng)噪聲源。