晶閘管和二極管等電力電子器件的參數(shù)與其芯片所處的環(huán)境條件密切相關(guān)。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。在高空和低溫下工作時(shí)，用戶需要注意合理使用，以確保設(shè)備的可靠運(yùn)行。

　　在高海拔、低溫環(huán)境條件下使用時(shí)，需要我們注意：

　　1.在-40℃條件下，可控硅的門極觸發(fā)電流值會比25℃時(shí)增加一倍，門極觸發(fā)電壓約增加30%，因此要保證設(shè)備可靠啟動，需要求足夠強(qiáng)度的可控硅門極觸發(fā)電流。亦即我們要求用戶采用的強(qiáng)觸發(fā)措施。它同時(shí)對提高器件的di/dt性能、減小開通時(shí)間和開通損耗，利于器件串、并聯(lián)運(yùn)行具有重要作用。建議使用的門極觸發(fā)條件為：門極觸發(fā)電流幅值IG=10IGT(2-5A，門極電流上開時(shí)間tr≤1μs。

　　2.在高海拔條件下，風(fēng)冷散熱器的散熱能力會減小，但較低的環(huán)境穩(wěn)度又有利于器件散熱，因此在使用中須根據(jù)現(xiàn)場所可能出現(xiàn)的zui高環(huán)境溫度考慮器件與散熱器的選擇，要留有一定電流裕量。

       3.如果設(shè)備啟動和停止頻繁，設(shè)備經(jīng)常在 -35 ° c 和 -125 ° c 之間循環(huán)，設(shè)備的使用壽命和可靠性就會降低。

公司生產(chǎn)各種規(guī)格的可控硅智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、臂模塊、整流橋模塊、各種控制柜及配套模塊用于觸發(fā)板、控制面板等產(chǎn)品。 真誠期待與公司及采購人員合作，為客戶提供低成本、質(zhì)量可靠的電子元件。