可控硅(可控硅整流器)是一種大功率電氣元件，也叫晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，它可以作為大功率驅(qū)動(dòng)裝置，用小功率控制器控制大功率設(shè)備。它已廣泛應(yīng)用于交流/DC電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)。

　　可控硅可分為單向可控硅和雙向可控硅。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這個(gè)可控硅具有雙向?qū)üδ堋ｉ_(kāi)關(guān)狀態(tài)由控制電jig決定..向控制電jiG添加正脈沖(或負(fù)脈沖)可以使其正向(或反向)導(dǎo)電。該器件具有控制電路簡(jiǎn)單、無(wú)反向耐壓?jiǎn)栴}等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

　　一、可控硅錯(cuò)誤的原因

　　1.電壓擊穿

　　可控硅因?yàn)槌惺懿涣穗妷憾鴵p壞。它的芯片上有一個(gè)光滑的洞，有時(shí)需要放大的鏡子才能看到。原因可能是管道本身的壓降或者電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高壓擊穿。

　　2.當(dāng)前損壞

　　電流損壞的痕跡是芯片被燒成了一個(gè)坑，坑很粗糙，位置離控制電ji很遠(yuǎn)。

　　3.目前的上升速度受到損害

　　其痕跡與電流損傷相同，位置在控制電ji附近或控制電ji上。

　　4.邊緣損傷

　　它出現(xiàn)在切屑外圓的倒角處，帶有光滑的小孔。用放大鏡可以看到倒角面上細(xì)小的金屬劃痕。這是廠家安裝不小心造成的。會(huì)導(dǎo)致電壓擊穿。

　　二、如何保護(hù)可控硅不被損壞

　　1.過(guò)電壓保護(hù)

　　晶閘管對(duì)過(guò)壓非常敏感，當(dāng)直流電壓超過(guò)其關(guān)態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)，晶閘管會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)向，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管將立即損壞。因此，有必要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和yizhi過(guò)電壓的方法。

　　過(guò)電壓主要是由于供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生劇烈變化，使系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或系統(tǒng)中原本積累的電磁能量來(lái)不及耗散。主要發(fā)現(xiàn)有兩種:雷擊等外部沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)分合閘引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管來(lái)說(shuō)是非常危險(xiǎn)的。

　　2.過(guò)電流保護(hù)

　　由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別是晶閘管等高壓大電流功率器件，bixu嚴(yán)格控制結(jié)溫，否則會(huì)損壞。當(dāng)大于額定值的電流流過(guò)晶閘管時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，zui終會(huì)造成結(jié)層燒壞。

　　過(guò)流的原因是多方面的，比如變流裝置本身的晶閘管損壞，觸發(fā)電路失靈，控制系統(tǒng)失靈，交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或異相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰設(shè)備失靈等。