可控硅(可控硅整流器)是一種大功率電氣元件，又稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長的優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，它可以作為大功率驅(qū)動裝置，用小功率控制器控制大功率設(shè)備。它已廣泛應(yīng)用于交流/DC電機調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)。

　　可控硅可分為單向可控硅和雙向可控硅。雙向可控硅又叫三向雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這個可控硅具有雙向?qū)üδ?。它的開關(guān)狀態(tài)由柵jiG決定，給控制電jiG加一個正脈沖(或負脈沖)可以使它正向(或反向)導(dǎo)通。這種器件的優(yōu)點是控制電路簡單，不存在反向耐壓問題，特別適用于交流無觸點開關(guān)。

　　可控硅由于無法承受電壓而損壞，其芯片上有一個光潔的洞，有時需要放大鏡才能看到。原因可能是燈管本身的壓降，也可能是電路斷開時產(chǎn)生的高壓擊穿。

　　電流損傷的痕跡表現(xiàn)為芯片被燒成坑狀，坑狀粗糙，位置遠離控制電ji。

　　其痕跡與電流損傷相同，位置在控制電ji附近或正上方。

　　它發(fā)生在芯片的外圓倒角處，有光潔的小孔。用放大鏡可以看到倒角面上細小的金屬劃痕。這是由于制造商安裝不小心造成的。會導(dǎo)致電壓擊穿。

　　晶閘管對過電壓非常敏感。當直流電壓超過其關(guān)態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時，晶閘管會產(chǎn)生誤導(dǎo)，導(dǎo)致電路故障。當施加的反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管將立即損壞。因此，有必要研究過電壓產(chǎn)生的原因和yizhi過電壓的方法。

　　過電壓主要是由于系統(tǒng)所提供的電功率或儲能發(fā)生劇烈變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原本積累的電磁能量無法耗散。主要發(fā)現(xiàn)雷擊等外部沖擊引起的過電壓和開關(guān)開合引起的沖擊電壓兩種類型。雷擊或高壓斷路器動作引起的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓峰值，對晶閘管是非常危險的。

　　由于半導(dǎo)體器件體積小，熱容量小，特別是像晶閘管這樣的高壓大電流功率器件，bixu嚴格控制結(jié)溫，否則會損壞。當大于額定值的電流流過晶閘管時，熱量來不及散發(fā)，導(dǎo)致結(jié)溫迅速升高，zui終會導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。

　　造成過流的原因有很多，例如:變頻器本身的晶閘管損壞、觸發(fā)電路故障、控制系統(tǒng)故障等。、交流電源電壓過高、過低或異相、負載過載或短路、鄰近設(shè)備故障等。