TRIACprincipium可以在400Hz可控硅以上的頻率下工作。根據(jù)電流容量的不同，其導通時間為4~8微秒，關(guān)斷時間為10~60微秒。主要用于高頻整流、斬波、逆變和變頻電路中。

　　Fast可控硅(晶閘管)是PNPN的四層三端器件。其符號與普通可控硅(見反向電阻可控硅)相同。它不僅要有良好的靜態(tài)特性，尤其是要有良好的動態(tài)特性。fast可控硅的動態(tài)參數(shù)要求開通速度和開通擴展速度快，反向恢復電荷少，關(guān)斷時間短，通態(tài)電流(d/d)和關(guān)態(tài)電壓(d/d)的臨界上升率高。臨界導通狀態(tài)電流上升速率是指當器件在特定條件下從關(guān)斷狀態(tài)切換到導通狀態(tài)時，不會對可控硅產(chǎn)生有害影響的zui大導通狀態(tài)電流上升速率。臨界關(guān)斷狀態(tài)電壓上升率是指器件在特定條件下不會從關(guān)斷狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)的zui大關(guān)斷狀態(tài)電壓上升率。Fast可控硅在額定頻率范圍內(nèi)，其額定電流不隨頻率增加而減小或減小很小。另一方面，當平均值可控硅在400Hz以上時，由于開關(guān)損耗隨著頻率的增加而增加，其在總損耗中的比例也隨之增加，因此其額定電流隨著頻率的增加而迅速下降。

　　fast可控硅的結(jié)構(gòu)和工作原理與普通可控硅相同，但在設(shè)計和制造中采取了特殊措施，以降低開關(guān)消耗的功率。通常采用增加柵陰ji周長和減薄基區(qū)厚度的方法來增加初始導通面積，提高d/d電阻，提高擴展速度。陰ji的短路點、不對稱結(jié)構(gòu)、摻雜金和鉑或用電子和快中子輻照可以降低少子壽命，提高d/d容限，減少關(guān)斷時間。80年代Fast可控硅已經(jīng)做到了通態(tài)平均電流1000A，耐壓2500V，關(guān)斷時間30微秒。

　　一種工作頻率標定明確的fast可控硅稱為高頻可控硅(中國型號為KG)。比如KG50(20kHz)表示高頻管的標稱工作頻率為20kHz，平均通態(tài)電流為50a(20kHz時的平均正弦半波電流)。80年代中期，我國已能生產(chǎn)出1~1.2kV耐壓的KG100(20kHz)和KG200(10kHz)高頻可控硅。

　　Fast可控硅采用了特殊的措施，在一定程度上降低了靜態(tài)特性(如增加通態(tài)壓降)，因此jingxiang于直接工作在頻率更高的大功率電子設(shè)備中。為了滿足可控硅在更高頻率下的特殊要求，開發(fā)了門輔助關(guān)斷可控硅和關(guān)斷可控硅。