可控硅在工業(yè)成產(chǎn)中具有十分常見，同時(shí)，它也可以比較容易出現(xiàn)因?yàn)橥ㄟ^各種原因而損壞。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。下面就給大家說一下環(huán)境保護(hù)可控硅的幾種研究方法：

過電壓的保護(hù)

SiCR對(duì)電壓非常敏感。當(dāng)正向電壓超過短路狀態(tài)UDRM的一定值時(shí)，會(huì)產(chǎn)生重復(fù)峰值電壓，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)反向電壓超過反向重復(fù)峰值電壓UDRM的一定值時(shí)，可立即損壞SiCR。

過電壓產(chǎn)生的原因是系統(tǒng)的電源或能量?jī)?chǔ)存發(fā)生了很大的變化，使系統(tǒng)不能及時(shí)轉(zhuǎn)換，或累積的電磁能不能及時(shí)消散。雷電等外部沖擊引起的過電壓和切換引起的沖擊電壓可分為兩種類型。雷電或高壓斷路器動(dòng)作引起的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅有很大的危害。所以小心點(diǎn)。

過電流的保護(hù)

由于半導(dǎo)體體積小、熱容量低，必須嚴(yán)格控制晶閘管等高壓大電流功率器件的結(jié)溫，否則會(huì)造成器件的完全損壞。如果可控硅整流器中的電流大于規(guī)定的電流值，其熱量不能及時(shí)揮發(fā)，導(dǎo)致溫度上升，從而破壞設(shè)備。

快速熔斷器通常用于可控硅過流保護(hù)。因?yàn)槠胀ㄈ蹟嗥鞯娜蹟嗵匦蕴谌蹟嗥魅蹟嘀熬чl管已經(jīng)燒斷。所以不能用來保護(hù)可控硅。快速熔斷器由埋在石英砂中的銀熔斷器制成，熔斷時(shí)間極短，可用于保護(hù)可控硅。

以上問題就是為了保護(hù)可控硅的方法，你學(xué)會(huì)了嗎？

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